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面向高壓MLCC關(guān)鍵技術(shù)：華測(cè)儀器推出高電場(chǎng)介電與漏電流一體化測(cè)試方案發(fā)布時(shí)間：2025-09-28

面向高壓MLCC關(guān)鍵技術(shù)：華測(cè)儀器推出高電場(chǎng)介電與漏電流一體化測(cè)試方案隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)與生態(tài)文明建設(shè)的協(xié)同推進(jìn)，能源供給與生態(tài)環(huán)境保護(hù)的平衡發(fā)展愈發(fā)受到重視。在綠色能源快速發(fā)展的今天，高效儲(chǔ)能技術(shù)成為制約其規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。其中，介電電容器作為物理儲(chǔ)能領(lǐng)域的核心元件，憑借其高...

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2019
2-25

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么
一般的電器元件都是有電壓限制的，不能超過它的耐壓值，超過了這個(gè)電壓就會(huì)擊穿，元件就是損壞了。這個(gè)會(huì)使元件擊穿的電壓就叫做擊穿電壓。擊穿電壓是使電介質(zhì)擊穿的電壓。電介質(zhì)在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下將失去其介電成為導(dǎo)體，稱為電介質(zhì)擊穿，所對(duì)應(yīng)的電壓稱為...
2019
2-22

關(guān)于介電常數(shù)測(cè)試儀
HCJDCS-B型高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介HCJDCS-B介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀是根據(jù)GB/T1409《測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》（等效采用IEC60250）設(shè)計(jì)和...
2019
2-21

關(guān)于四探針測(cè)試儀
四探針測(cè)試儀產(chǎn)品名稱：四探針測(cè)試儀產(chǎn)品型號(hào)：HCTZ-2S品牌：北京華測(cè)產(chǎn)品介紹HCTZ-2S四探針測(cè)試儀器是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻...
2019
2-21

四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試的幾個(gè)注意事項(xiàng)
四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試的幾個(gè)注意事項(xiàng)四探針電阻率測(cè)試儀特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表，在測(cè)量電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化，免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換，及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源，...
2019
2-19

介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介電常數(shù)測(cè)試儀是通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制、測(cè)量核心，真正實(shí)現(xiàn)了Q值的數(shù)字化，電容、電感、Q值、信號(hào)源頻率都在一個(gè)液晶屏上展示出來。介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GB7265.2-1987...
2019
2-18

關(guān)于檢測(cè)電壓擊穿的測(cè)試規(guī)范的問題
關(guān)于檢測(cè)電壓擊穿的測(cè)試規(guī)范的問題如下GB/T1408.1-2016測(cè)試規(guī)范中提及的「垂直于非層迭材料表面和垂直于層迭材料層向的試驗(yàn)」與「平行于非層迭材料表面和平行于迭層材料層向的試驗(yàn)」，這兩種測(cè)試原理及差異為何？答：、垂直擊穿：是材料在垂直...

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